在庫モールド販売

ナノインプリントの初期検討において、高価なモールドのコストがネックとなり、 プロジェクトが頓挫するケースが増えております。 当社では初期評価を迅速に進めていただく為、お客様の仕様に合わせた低価格カスタムモールドをご提供しております。

また、 多くのお客様からお問合わせをいただいている大型全面パターンモールド(4インチから12インチ)もこれまでどおりご提供いたしております。以下のリストに示す既製品に加え、カスタム品の受託製造にも対応いたします。 詳細に関しては、お気軽にお問い合わせください。

シリコンモールド​

最先端の半導体技術を用いた超微細パターンから、機械加工などによるマイクロレンズアレイなどのμmオーダーのパターンなど幅広くご対応いたします。

高アスペクトピラーモールド(MLP230/500)
φ4インチからφ12インチまで対応

高輝度化用モールド(MLP230/MLH230)
φ4インチからφ12インチまで対応

高輝度化用モールド(MLP230/MLH230)
Cross section

在庫モールドリスト

L & S

Commodity CodeDimension of Structure (Spec)Effective Area Stamp DimensionMaterialArray
MRLS50/130/100-10×10 Width:50nm, Height:130nm, Pitch:100nm□10mm□10mmSilicon(Si)
MRLS50/130/100-30×30 Width:50nm, Height:130nm, Pitch:100nm□30mm□30mmSilicon(Si)
MRLS50/130/100-100×100 Width:50nm, Height:130nm, Pitch:100nm□100mm□100mmSilicon(Si)
MTPL50/130/100-300 Width:50nm, Height:130nm, Pitch:100nmφ280㎜φ300㎜Silicon(Si)
MRLS70/150/140-10×10Width:70nm, Height:150nm, Pitch:140nm□10mm□10mmSilicon(Si)
MRLS70/150/140-300 Width:70nm, Height:150nm, Pitch:140nmφ280㎜φ300㎜Silicon(Si)
MTLS1/1/2-30×30Width:1μm, Height:1μm, Pitch:2μm□30mm□30mmSilicon(Si)

Hole

Commodity CodeDimension of Structure Effective AreaStamp Dimension MaterialArray
MLH230/200/460-30x30φ230nm, Depth:200nm, Pitch:460nm□30mm□30mmSilicon(Si)Hexagonal
MLH230/200/460-50x50φ230nm, Depth:200nm, Pitch:460nm□50mm□50mmSilicon(Si)Hexagonal
MLH230/200/460-φ120φ230nm, Depth:200nm, Pitch:460nmφ120mmφ120mmSilicon(Si)Hexagonal
MTH500/500/1000-30x30φ500nm, Depth:500nm, Pitch:1000nm□30mm□30mmSilicon(Si)Hexagonal
MTH500/500/1000-50x50φ500nm, Depth:500nm, Pitch:1000nm□50mm□50mmSilicon(Si)Hexagonal

Pillar

Commodity Code Dimension of Structure Effective Area Stamp Dimension MaterialArray
MLP230/500/460-30x30φ230nm, Height:500nm, Pitch:460nm□30mm□30mmSilicon(Si)Hexagonal
MLP230/500/460-φ120φ230nm, Height:500nm, Pitch:460nmφ120mmφ120mmSilicon(Si)Hexagonal
MLP230/200/460-30x30φ230nm, Height:200nm, Pitch:460nm □30mm□30mmSilicon(Si)Hexagonal
MLP230/200/460-φ120φ230nm, Height:200nm, Pitch:460nm φ120mmφ120mmSilicon(Si)Hexagonal
NAP230/240-100φ230nm, Height:240nm, Pitch:460nm□100mm□100mmNickel(Ni)Hexagonal

AR-TEG

Parts NumberDimension of StructureStamp DimensionMateriaLayout
TEG-AR-C-200Refer to the below Figure for detail
(consisted of L/S and Pillar patterns)
φ200mm
Si (Silicon)
Checkerboard pattern
(52 shots for patterned, 45 shots for blanket)
TEG-AR-C-15x15ditto
Roughly 30x30mm
dittoCheckerboard pattern
(2 shots for patterned, 2 shots for blanket)
TEG-AR-F-200ditto
φ200mm
dittoFull pattern
(97 shots for patterned)
TEG-AR-F-15x15ditto
Roughly 30x30mm
dittoFull pattern
(4 shots patterned)

掲載を行っているモールドは在庫限りで販売が終了となります。

在庫状況につきましては、お問い合わせください。

カスタムモールド事例​

お客様のご要望に応じ、評価用から量産用まで様々なカスタムモールドをご提供いたします。当社では、パターンサイズに応じ、7種の異なる加工プロセスを用いてモールドを作製しております。

複合カスタムモールド

一つのモールドにお客様のご要望のパターンを2種類以上形成することが可能です。

モールド材料: ニッケル
パターン: ピラー〈右写真〉、L&S〈左写真〉
L&S:幅250nm、高さ250nm、ピッチ500nm
ピラー:φ250nm、高さ250nm、ピッチ500nm

低価格インプリント用モールド

お客様の仕様に合わせて作成します(材質: Si、Ni)

パターン: L&S、Pillar、Hole 他
パターンサイズ: 150nm~
パターン領域: □10mm~□30mm
材質: Si、Ni

複合カスタムモールド
ライン&スペース
ホールパターン&ピラーパターン

大面積カスタムモールド

Ni電鋳モールド複製受託をいたします。

Ni電鋳モールド (200nmピラー、高さ500nm)

Ni電鋳モールド
(200nmピラー、高さ500nm)

φ8インチNi電鋳モールド
(φ200nmピラーからの複製モールド)

シリコンモールド(200nmピラー、高さ:500nm)
シリコンモールド(ハニカム 一辺1μm、壁厚240nm)
シリコンモールド(ハニカム 一辺1μm、壁厚240nm)
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