GaAs・InPなどの化合物半導体基板への高精度グレーティング形成。DFBレーザ向けのλ/4位相シフトや波長チューニングに対応し、高スループットな量産を実現します。
パターンピッチをサブナノメートルレベルでコントロール。化合物半導体基板上に高精度グレーティングを安定的に形成し、量産に対応します。
λ/4位相シフトグレーティングやチャープドグレーティング（ピッチ変調グレーティング）にも対応。マスターモールドに設計情報を組み込むことで、複雑な光学構造を高精度かつ高い再現性で量産することが可能です。
±1um精度のアライメントが可能です。
InP・GaAsなどの化合物半導体基板のφ2″からφ8″まで量産対応が可能です。
小ロットの試作から月1,000枚レベルの量産まで柔軟に対応。量産立ち上げを一貫してサポートします。
| 項目 | 仕様・対応範囲 |
|---|---|
| 対応基板材料 | InP、GaAs、その他化合物半導体 |
| 基板サイズ | φ2″ – φ8″ |
| ピッチ精度 | sub nmレベル制御 |
| グレーティング構造 | 均一グレーティング、λ/4位相シフト、チャープドグレーティング |
| アライメント精度 | ±1μmレベル |
| 生産規模 | 10〜1,000枚/月（最大50枚/日） |
| 納期（試作） | テストパターン作製：約2ヶ月＋評価 / モールド作製：1〜1.5ヶ月 |
200nmピッチグレーティングを3インチInPウェハ全面に均一形成。発振波長ばらつき±0.1nm以内を達成。
12インチSiウェハでハーフピッチ50nmのL/S
λ/4位相シフト構造
残膜<30nm
仕様・生産規模に応じたご提案をいたします。まずはお気軽にお問い合わせください。
